امروز شنبه 04 / 09 / 1396

MtAc36: کد محصول

Current-Voltage Modeling of Bilayer Graphene Nanoribbon Schottky Diode
مدل سازی ولتاژ جریان دیود شوتکی نانو ریبون گرافن دو لایه ای

زبان مبدا :انگلیسی

نام نویسنده :M. Rahmani & M. Ahmadi

سال انتشار :2011

تعداد صفحات انگلیسی :3

تعداد صفحات فارسی :8

رشته های مرتبط با این مقاله :

قیمت بر حسب ریال :60,000

تعداد بازديد :221

جزئیات بیشتر ودانلود
 

چکیده

مدل سازی ولتاژ جریان دیود شوتکی نانو ریبون گرافن دو لایه ای

مقاله حاضر در کل  در مورد مدل سازی ولتاژ جریان دیود شاتکی  نانو ریبون های گرافن دولایه (BGNR ) می باشد. وسایل نیمه رسانا فلزی در شروع اولین سال دهه 1900 استفاده می شدند . ما می توانیم از طریق ایجاد تماس یک سوزن بلور فلزی با سطح نیمه رسانا در معرض قرار گرفته یک تماس نقطه ای ایجاد کنیم . دیود های نیمه رسانا فلزی با نقطه اتصال p-n در دهه 1950 تعویض گردیدند چون آنها به سادگی باز تولید نمی شدند یا از نظر مکانیکی قابل اطمینان شناخته نشدند. در نتیجه، عملی بودن استفاده از نیمه رساناها و فناوری خلاء برای ایجاد تماس های نیمه رسانا فلزی قابل باز تولید و قابل اعتماد صورت می گیرد. بنابراین، توجه زیادی به دیود سد شاتکی یا تماس تصحیح نیمه هادی فلزی می شود. مدل ارزیابی یا طراحی مشخصه های  ولتاژ جریان (I-V) دیود شاتکی BGNR به عنوان تابع پارامترهای فیزیکی نظیر پهنای GNR، جرم موثر، ضخامت نارسانا ورودی و پارامترهای الکتریکی نظیر ارتفاع سد شاتکی در این مقاله معرفی می گردند. 

 


این مقاله در رابطه با ترجمه تخصصی رشته برق و زیر شاخه فنی مهندسی میباشد، بطوریکه با کمک گرفتن از مترجمین متخصص در این حوزه اقدام به ترجمه مقاله نموده و جهت انتشار در سایت ترجمه تخصصی کاراپن آماده سازی شده است.

مقاله Current-Voltage Modeling of Bilayer Graphene Nanoribbon Schottky Diode که تحت عنوان "مدل سازی ولتاژ جریان دیود شوتکی نانو ریبون گرافن دو لایه ای" ترجمه شده است، در سال 2011 نوشته شده و در ژورنال تخصصی IEEE به چاپ رسیده است. تعداد صفحات انگلیسی این مقاله 3 صفحه و تعداد صفحات فارسی ترجمه شده آن شامل 8 صفحه میباشد. 

 

Abstract

Current-Voltage Modeling of Bilayer Graphene Nanoribbon Schottky Diode

This paper is all about the current-voltage modeling of Bilayer Graphene Nanoribbons (BGNRs) Schottky Diode. The metal semiconductor devices were used in the beginning of the year 1900s. We can make a point contact diode by touching a metallic whisker to an exposed semi-conductor surface. The metal semiconductor diodes were replaced by the p-n junction in the 1950’s because they were not easily reproduced or found to be mechanically reliable. As a result the practicability of making use of the semiconductor and vacuum technology to construct reproducible and dependable metal semiconductor contacts. Therefore, a high consideration occurs for the schottky barrier diode or metal semiconductor rectifying contact. A model to evaluate or design the current-voltage (I-V) characteristics of BGNRs schottky diode as a function of physical parameters, such as GNR width (w), effective mass (m*), gate insulator thickness (tins), and electrical parameters, such as schottky barrier (SB) height ( SB φ ) are presented in this paper

 
 
برچسب ها : ترجمه مقاله برق , سایت ترجمه , ترجمه تخصصی , ترجمه تخصصی مقالات برق , ترجمه مقالات , ترجمه مقاله , مقاله مدل سازی ولتاژ جریان دیود شوتکی نانو ریبون گرافن دو لایه ای , ترجمه مقاله Current-Voltage Modeling of Bilayer Graphene Nanoribbon Schottky Diode